光刻机是集成电路生产的关键核心设备，为了在更加小的物理空间构建更好的电子元件，单个电路的物理尺寸更加小，主流光刻机在硅片上感应的光刻电路分辨率超过50-90nm。由于光波散射的缘故，光刻电路是一个致密的光斑，其特征尺寸约是光波长的一半，更加小特征尺寸的光刻电路意味著更高的光刻分辨率。为了获得更高的分辨率，目前主流光刻技术的发展局限于在光学散射无限大范围内大大延长所用光源的波长，其代价十分便宜。

今天光刻机被称作人类最仪器简单的机器，荷兰ASML公司EUV光刻机售价高达1亿美元，而且只有ASML需要生产。　　国内目前还没加装ASMLEUV机台，国产光刻机技术上与之差距过于大，根本无法在高端市场上参予竞争，相当严重制约了我国微电子信息工业的发展。根据媒体报道，近年来我国每年集成电路产品进口金额与每年原油进口金额大体非常，每年早已多达2000亿美元，如何转变集成电路生产受制于人的局面是国产光刻机研发的主要目标。

　　2014年10月瑞典皇家诺贝尔奖委员会要求将当年的诺贝尔化学奖颁发超越光学散射无限大发明者超强分辨率光学显微镜技术的三位科学家，以表扬他们在超强分辨率光学光学方面的卓着贡献。其中斯蒂芬？黑尔教授发明者的STED超强辨别技术使用二束激光，一束唤起激光（ExcitingLaserBeam）唤起显微镜物镜下的荧光物质产生荧光，另外一束中心透射为零的环形淬灭激光（InhibitingLaserbeam）淬灭唤起激光产生的荧光。

这两束光的中心轻合在一起，使得只有正处于纳米级环形淬灭激光中心处的荧光分子才能长时间闪烁，通过扫瞄的办法就可以获得打破散射无限大的光学光学。　　遵循这个思路，华中科技大学国家光电实验室的甘棕松教授在国外修读博士学位期间，使用类似于方法在光刻生产技术上获得进展，顺利突破光学散射无限大，首次在世界范围内构建了创记录的单线9纳米线长，双线间距低至大约50纳米的超强辨别光刻。

未来将这一技术工程化应用于到光刻机上，需要突破光学散射无限大对感应电路尺寸的容许从而构建超强辨别光刻，未来将会使国产集成电路光刻机挣脱一味使用更加较短波长光源的技术路线。　　甘棕松教授发明者的超强辨别纳米光刻技术利用光刻胶双光子吸取特性，使用双束光展开光刻，一束为飞秒脉冲激光，经过扩束整形转入到物镜，探讨成一个较小的光斑，光刻胶通过双光子过程吸取该飞秒光的能量，再次发生光物理化学反应引起光刻胶再次发生烧结；另外一束为倒数激光，某种程度经过扩束整形后，转入到同一个物镜里，探讨构成一个中心为零的空心状光斑，与飞秒激光光斑的中心空间重合，光刻胶吸取该倒数光的能量，再次发生光物理化学反应，制止光刻胶再次发生烧结。两束光同时起到，最后只有倒数光空心光斑中心部位的地方被烧结。

甘棕松教授目前早已把空心光斑中心部位大于做9nm，自此突破光学散射无限大的超强辨别光刻技术在常规光刻胶上以求极致构建。　　使用超强辨别的方法突破光学散射的容许，将光挤满到更加小的尺寸，应用于到集成电路光刻可以带给两个方面的益处：一方面可以构建更高的分辨率，仍然必须使用更加较短波长的光源，使得光刻机系统耗资大大降低；另外一方面使用红外线展开光刻，可以击穿普通的材料，工作环境拒绝不低，挣脱EUV光源必须真空环境、光刻能量不足的羁绊。　　与以致于几千万美元的主流光刻机乃至一亿美元售价的EUV光刻机比起，超强辨别光刻硬件部分只必须一台飞秒激光器和一台普通倒数激光器，成本只是主流光刻机的几分之一。

该系统运营条件比紫外光刻有保守得多，不必须真空环境，不必须类似的闪烁和折光元器件，和一般光刻系统比起，该系统意味着是引进了第二束光，系统光路设计上改动较为小，光刻机工程化应用于比较更容易，有期望使国产光刻机在高端领域急弯转弯、有所突破。

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